東京大學(xué)研究生院工程學(xué)系研究專業(yè)副教授染谷隆夫的研究小組和東京大學(xué)國際產(chǎn)學(xué)共同研究中心教授櫻井貴康的研究小組共同開發(fā)出了薄膜型無線通信系統(tǒng)。只需將電子設(shè)備放在薄膜上，即可在電子設(shè)備之間進(jìn)行通信。無線通信薄膜的面積為21cm×21cm，厚度1mm，重量僅50g。還可機(jī)械彎曲。如果達(dá)到實用水平，還可在桌子及墻壁上粘貼無線通信薄膜，向薄膜上放置的電子設(shè)備傳輸信息。

如將此次的產(chǎn)品與該共同研究小組06年發(fā)表的無接點(diǎn)電力傳輸薄膜組合使用，還有望無需連接器進(jìn)行機(jī)械連接，即可向薄膜上的電子設(shè)備傳輸電力和信息。無線通信系統(tǒng)與無接點(diǎn)電力傳輸系統(tǒng)組合使用的實驗已經(jīng)完成，證實電力供應(yīng)和信息傳輸均可實現(xiàn)。

采用該無線通信薄膜的晶體管的單元構(gòu)造將在“2007 IEEE International Electron Devices Meeting（2007 IEDM）”（2007年12月10～12日，米國華盛頓D.C.）上發(fā)表。與該薄膜組合的低電力通信電路技術(shù)預(yù)定在“2008 International Solid-State Circuits Conference（ISSCC 2008）”（2008年2月3～7日，米國舊金山）上發(fā)表。東京大學(xué)VDEC副教授高宮真教授、慶應(yīng)義塾大學(xué)理工學(xué)部教授黑田忠廣也參與了薄膜型無線通信系統(tǒng)的開發(fā)。

利用電感耦合及容量耦合

此次的系統(tǒng)使用的無線通信薄膜由植入非易失性內(nèi)存元件及晶體管的內(nèi)存薄膜、設(shè)置有MEMS開關(guān)的開關(guān)薄膜以及線圈薄膜重疊構(gòu)成。在薄膜表面內(nèi)集成了縱8個×橫8個，即64個將非揮性內(nèi)存元件、MEMS開關(guān)元件及線圈集成為一組的單元。為了控制無線通信薄膜，外置了收發(fā)器電路及控制電路等LSI。在外置LSI集成的電路方面，對無線通信薄膜的驅(qū)動下了一番工夫，將傳輸速度為100Kbs時的通信能量降到了107pJ/bit。

如果在該薄膜上放置兩個電子設(shè)備，設(shè)備之間就會按照以下步驟開始通信：(1)利用無接點(diǎn)電力傳輸薄膜中使用的技術(shù)檢測出薄膜上電子設(shè)備的位置，(2)算出最短的通信路徑，(3)在最短路徑中連接MEMS開關(guān)的非易失性內(nèi)存開始運(yùn)行程序，(4)程序運(yùn)行后的MEMS開關(guān)元件導(dǎo)通，通信路徑確立。無線通信系統(tǒng)利用線圈之間的電感耦合或容量耦合由電子設(shè)備向薄膜、并由薄膜向其它電子設(shè)備通信。因此，需要在電子設(shè)備中內(nèi)置線圈。利用電感耦合時使用頻率為3MHz的載波。利用容量耦合時通過脈沖通信傳輸信息。

采用印刷技術(shù)制造，非易失性內(nèi)存可實現(xiàn)105次以上的擦寫

在構(gòu)成無線通信薄膜的內(nèi)存薄膜中，晶體管采用并五苯，非易失性內(nèi)存元件采用強(qiáng)介電性高分子的氟化乙烯和三氯乙烯的聚合物，均為有機(jī)材料。采用這些材料并利用噴墨裝置及絲網(wǎng)印刷裝置等印刷技術(shù)形成各元件。另外，柵電極、柵絕緣膜、源電極、漏電極均采用印刷技術(shù)形成。

非易失性內(nèi)存元件可在大氣中進(jìn)行超過105次的數(shù)據(jù)擦寫。伴隨著封裝技術(shù)、強(qiáng)介電材料技術(shù)及晶體管技術(shù)的進(jìn)步，其可靠性也大為提高。